Avec SAIMEMORY, sa filiale dédiée aux technologies mémoire, SoftBank s’allie à Intel pour industrialiser la Z-Angle Memory. Le calendrier est tracé : prototypes en 2028, commercialisation en 2029, et une nouvelle brique stratégique pour les infrastructures IA.
Le 2 février 2026, SoftBank Corp. a officialisé un accord de collaboration entre sa filiale à 100 %, SAIMEMORY Corp., et Intel Corporation. Au cœur de ce partenariat : la Z-Angle Memory (ZAM), une technologie mémoire de nouvelle génération pensée pour conjuguer haute capacité, bande passante élevée et faible consommation énergétique.
Une nouvelle architecture mémoire pour les charges IA
Créée en décembre 2024, SAIMEMORY concentre ses travaux sur la R&D de technologies mémoire avancées. Pour accélérer, la jeune entité s’appuiera sur des briques technologiques validées par Intel dans le cadre de son initiative Next Generation DRAM Bonding (NGDB), menée au sein du programme Advanced Memory Technology (AMT) soutenu par le Département de l’Énergie américain et la National Nuclear Security Administration, via les laboratoires nationaux de Sandia, Lawrence Livermore et Los Alamos.
Ce socle technologique doit permettre de faire émerger des architectures mémoire innovantes et de nouvelles approches de fabrication. L’ambition est évidemment de répondre aux besoins croissants en capacité et en bande passante des environnements qui entraînent et exécutent des modèles d’IA à grande échelle.
La ZAM est positionnée comme une réponse directe à cette pression structurelle. En promettant des capacités élevées, une bande passante renforcée et une réduction de la consommation énergétique, elle vise à soutenir la performance des centres de données et des infrastructures dédiées à l’entraînement et à l’inférence de modèles massifs.
Souveraineté technologique et compétitivité industrielle
Pour SoftBank, le développement de technologies mémoire de nouvelle génération s’inscrit dans une initiative plus large : soutenir les infrastructures sociales de demain. La mémoire n’est plus un simple composant, mais une brique stratégique des architectures numériques avancées.
Au-delà d’un simple enjeu industriel, cette alliance est déjà analysée comme un tournant stratégique par certains acteurs du secteur. Comme le souligne Stéphane Requena, CTO de GENCI (Grand Équipement National de Calcul Intensif), « ZAM permettra de stacker des DRAM verticalement sur l’axe Z, remettant en question les standards HBM en termes de capacité et de bande passante », en référence à la technologie de « Next-Generation DRAM Bonding » portée par Intel. Cette lecture dépasse la seule innovation technologique : elle place la mémoire au cœur d’un rapport de force industriel où capacité, bande passante et efficacité énergétique deviennent déterminantes pour les infrastructures dédiées à l’IA, tout en repositionnant Intel et ses partenaires face aux acteurs qui dominent aujourd’hui ce segment stratégique.
